蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線(xiàn)運動(dòng)，直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內，當氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時(shí)，這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線(xiàn)飛行，否則，就會(huì )產(chǎn)生碰撞而改變運動(dòng)方向。為此，金屬表面不銹鋼鍍鈦服務(wù)電話(huà)，增加殘余氣體的平均自由程，蘭考不銹鋼鍍鈦服務(wù)電話(huà)，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內抽成高真空是必要的。當真空容器內蒸發(fā)粒子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離(以下稱(chēng)蒸距)時(shí)，就會(huì )獲得充分的真空條件。設蒸距(蒸發(fā)源與基片的距離)為L(cháng)，并把L看成是蒸發(fā)粒子已知的實(shí)際行程，λ為氣體分子的平均自由程，金屬不銹鋼鍍鈦服務(wù)電話(huà)，設從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來(lái)的蒸汽分子數為N0，在相距為L(cháng)的蒸發(fā)源與基片之間發(fā)生碰撞而散射的蒸汽分子數為N1，而且假設蒸發(fā)粒子主要與殘余氣體的原子或分子碰撞而散射，則有N1/N0=1-exp(L/λ)(1) 次數用完API KEY 超過(guò)次數限制

在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下，殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計算可知，在室溫下，p=10-2Pa時(shí)，λ=66.5cm，即一個(gè)分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實(shí)際路程對平均自由程之比值的曲線(xiàn)。從圖中可以看出，裝飾不銹鋼鍍鈦服務(wù)電話(huà)，當λ=L時(shí)，有63%的蒸發(fā)分子會(huì )發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍，則散射的粒子數減少到9%，因此，蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠遠大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過(guò)程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機的蒸距均不大于50cm。 次數用完API KEY 超過(guò)次數限制

氣態(tài)的原子、分子在真空中經(jīng)過(guò)很少的碰撞遷移到基體。(3)鍍料原子、分子沉積在基體表面形成薄膜。(二)蒸發(fā)源將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱(chēng)為蒸發(fā)源。zui常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等。(三)真空蒸鍍工藝實(shí)例以塑料金屬化為例，真空蒸鍍工藝包括：鍍前處理、鍍膜及后處理。真空蒸鍍的基本工藝過(guò)程如下：(1)鍍前處理，包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。 次數用完API KEY 超過(guò)次數限制